飞思卡尔推出用于蜂窝移动通信基站的首款氮化镓射频功率晶体管
发布时间:2019-01-31     来源:本站    作者:本站

作为射频功率晶体管市场的领导者,飞思卡尔的GaN射频解决方案使客户能够在无线基础设施市场中拥有更多世界级的产品选择。就在新产品推出前几个月,飞思卡尔推出了MMRF5014H,这是其首款用于军事和工业应用的GaN射频功率晶体管。目前,该产品在热和宽带RF性能方面仍然是100W级GaN晶体管的领导者。

飞思卡尔推出用于蜂窝移动通信基站的首款氮化镓射频功率晶体管

飞思卡尔高级副总裁兼射频业务总经理Paul Hart表示:“飞思卡尔正在领导从小众市场到蜂窝移动通信基础设施等主流应用的GaN应用。现在是时候向我们庞大的电信客户群推荐我们.GaI解决方案。此外对于A2G22S160-01S的超强性能,我们的蜂窝移动通信客户也将拥有飞思卡尔的高容量和全球售后服务作为保证。“

与硅相比,GaN具有更高的功率转换效率,更快的转换速度和更高的功率密度,因此在其上制造的功率晶体管比传统器件更小且更强大。 。这是由于GaN的几个特性 - 宽带隙,强临界电场和高水平的电子迁移率。尽管过去GaN的转移过于昂贵,但近来的商业和技术进步正逐渐降低生产成本。作为半导体制造领域的长期领导者,飞思卡尔正在世界上一些最大的市场上展示GaN材料的优势,同时还能够在主流商用基站市场中大规模部署GaN功率放大器。

飞思卡尔的Airfast系列射频功率产品涵盖了使用各种半导体技术的600MHz至3.8GHz的所有无线蜂窝移动通信频段。 A2G22S160-01S专为1800-2200MHz频率范围内的基站而设计,具有出色的性能。例如,在40W Doherty双向非对称放大器中,载波通道配备A2G22S160-01S晶体管,峰值通道配备两个A2G22S160-01S晶体管,其最大输出功率为56.2dBm。具有8dB输出回退(OBO),功率增益为15.4dB,效率为56.7%。当放大器由两个20MHz LTE载波单元(聚合带宽为40MHz)驱动时,具有数字预失真(DPD)的相邻信道功率(ACP)为55dBc。供应

A2G22S160-01SGaN射频功率晶体管目前已投入生产,并提供参考设计和其他支持解决方案。有关定价和其他信息,请联系您当地的飞思卡尔销售办事处。

关于飞思卡尔半导体

飞思卡尔半导体(纽约证券交易所代码:FSL)为互联网的未来提供安全可靠的嵌入式处理解决方案。我们的解决方案有助于实现更多创新,连接世界,让生活更轻松,更安全。飞思卡尔的客户包括全球最大的公司,我们致力于支持、技术、工程和数学(STEM)教育的科学,以推动新一代的创新。欲了解更多信息,请访问www.freescale.com

关于飞思卡尔技术论坛

基于业界最全面的嵌入式生态系统,飞思卡尔技术论坛(FTF)十多年来一直在推动创新和协作。飞思卡尔技术论坛提供客户创建和实施安全嵌入式解决方案所需的培训和专业知识,以满足当今和未来物联网的需求。为期四天的飞思卡尔技术论坛涵盖了飞思卡尔及其生态系统合作伙伴的深入培训、实践研讨会和演示,为行业同行和有远见的人提供了难得的合作机会。该论坛自2005年成立以来一直受到全球开发者社区的极大追捧,吸引了超过67,500名全球参与者。飞思卡尔美洲论坛将于2015年6月22日至25日在德克萨斯州奥斯汀举行。

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